Інші пропозиції IRF6648TRPBF за ціною від 56.65 грн до 277.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 17090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 3468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
на замовлення 19647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC |
на замовлення 23252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF6648TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF6648TRPBF |
на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 59.67 грн |
| 9600+ | 56.65 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 124.17 грн |
| 500+ | 95.45 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 17090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 253+ | 140.26 грн |
| 500+ | 126.11 грн |
| 1000+ | 116.41 грн |
| 10000+ | 100.09 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 253+ | 140.26 грн |
| 500+ | 126.11 грн |
| 1000+ | 116.41 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 188.03 грн |
| 109+ | 129.88 грн |
| 500+ | 107.58 грн |
| 1000+ | 100.01 грн |
| 2500+ | 91.73 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 19647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.54 грн |
| 10+ | 130.26 грн |
| 100+ | 89.81 грн |
| 500+ | 68.06 грн |
| 1000+ | 65.08 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
на замовлення 23252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.62 грн |
| 10+ | 129.69 грн |
| 100+ | 81.05 грн |
| 500+ | 67.87 грн |
| 1000+ | 64.84 грн |
| 2500+ | 60.47 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 264.76 грн |
| 78+ | 181.51 грн |
| 111+ | 127.72 грн |
| 500+ | 99.37 грн |
| 1000+ | 87.68 грн |
| 2500+ | 82.95 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 276.29 грн |
| 10+ | 179.26 грн |
| 100+ | 124.17 грн |
| 500+ | 95.45 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 277.75 грн |
| 10+ | 181.18 грн |
| 100+ | 127.39 грн |
| 500+ | 102.10 грн |
| 1000+ | 91.17 грн |
| 2500+ | 84.50 грн |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF6648TRPBF
IRF6648TRPBF
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 253+ | 140.26 грн |
| 500+ | 126.11 грн |
| 1000+ | 116.41 грн |






