Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Код товару: 167334
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF6648TRPBF за ціною від 61.69 грн до 277.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+66.17 грн
9600+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.07 грн
10+105.12 грн
25+104.06 грн
100+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.89 грн
124+113.84 грн
145+97.84 грн
500+83.55 грн
1000+70.22 грн
2000+62.90 грн
4800+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 17090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.61 грн
109+129.59 грн
500+107.35 грн
1000+99.78 грн
2500+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.36 грн
10+142.71 грн
100+98.82 грн
500+75.14 грн
1000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.17 грн
78+181.10 грн
111+127.43 грн
500+99.15 грн
1000+87.49 грн
2500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.13 грн
10+180.77 грн
100+127.10 грн
500+101.87 грн
1000+90.96 грн
2500+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
на замовлення 23252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF International Rectifier HiRel Products irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 IRF6648TRPBF
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+66.17 грн
9600+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+118.07 грн
10+105.12 грн
25+104.06 грн
100+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.89 грн
124+113.84 грн
145+97.84 грн
500+83.55 грн
1000+70.22 грн
2000+62.90 грн
4800+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 17090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+187.61 грн
109+129.59 грн
500+107.35 грн
1000+99.78 грн
2500+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.36 грн
10+142.71 грн
100+98.82 грн
500+75.14 грн
1000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+264.17 грн
78+181.10 грн
111+127.43 грн
500+99.15 грн
1000+87.49 грн
2500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+277.13 грн
10+180.77 грн
100+127.10 грн
500+101.87 грн
1000+90.96 грн
2500+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6648TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
на замовлення 23252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6648TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF6648TRPBF
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.