IRF6648TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 73.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6648TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6648TRPBF за ціною від 55.26 грн до 215.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC |
на замовлення 33056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 18297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
на замовлення 11668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6648TRPBF Код товару: 167334
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |