Інші пропозиції IRF6648TRPBF за ціною від 55.90 грн до 232.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 8617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
на замовлення 18297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
на замовлення 19647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC |
на замовлення 28470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6648TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF6648TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |