IRF6655TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6655TRPBF Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET, Mounting: SMD, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Technology: HEXFET®, Drain current: 4.2A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel, Case: DirectFET, кількість в упаковці: 4800 шт.
Інші пропозиції IRF6655TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6655TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 4.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|
 |
IRF6655TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF6655TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: 100V 19A DIRECTFET-MV |
товар відсутній |
|
|
|
IRF6655TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Mounting: SMD Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 4.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Case: DirectFET |
товар відсутній |