Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
Код товару: 87232
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF6662TRPBF за ціною від 86.53 грн до 211.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.46 грн
10+112.77 грн
25+111.08 грн
50+105.49 грн
100+96.17 грн
250+90.87 грн
500+89.43 грн
1000+87.98 грн
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.46 грн
126+112.77 грн
128+111.08 грн
130+105.49 грн
132+96.17 грн
250+90.87 грн
500+89.43 грн
1000+87.98 грн
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF International Rectifier IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+121.40 грн
1000+114.21 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.55 грн
10+132.60 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon / IR Infineon_IRF6662_DataSheet_v01_01_EN-1228449.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF Infineon IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.46 грн
10+112.77 грн
25+111.08 грн
50+105.49 грн
100+96.17 грн
250+90.87 грн
500+89.43 грн
1000+87.98 грн
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+114.46 грн
126+112.77 грн
128+111.08 грн
130+105.49 грн
132+96.17 грн
250+90.87 грн
500+89.43 грн
1000+87.98 грн
3000+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6662TRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+126.11 грн
500+121.40 грн
1000+114.21 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.55 грн
10+132.60 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF Infineon_IRF6662_DataSheet_v01_01_EN-1228449.pdf
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
Виробник: Infineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.