Продукція > INFINEON > IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.52 грн
500+ 90.59 грн
1000+ 70.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6662TRPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF6662TRPBF за ціною від 70.32 грн до 222.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+162.6 грн
10+ 146.34 грн
100+ 117.52 грн
500+ 90.59 грн
1000+ 70.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF6662_DataSheet_v01_01_EN-1228449.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.91 грн
10+ 198.51 грн
100+ 138.36 грн
500+ 113.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6662TRPBF Виробник : Infineon irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF
Код товару: 87232 		irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товар відсутній