IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies


irf6668.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 54.55 грн до 180.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+73.38 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.04 грн
10+71.75 грн
25+69.65 грн
100+61.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+81.10 грн
152+80.48 грн
200+75.81 грн
1000+70.10 грн
2000+67.11 грн
4800+65.60 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+86.83 грн
500+83.13 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+86.83 грн
500+83.13 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.13 грн
500+64.83 грн
1000+55.25 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+103.29 грн
126+97.24 грн
138+88.65 грн
500+76.36 грн
1000+62.56 грн
2500+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+153.98 грн
10+135.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 14138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.94 грн
10+111.04 грн
100+84.12 грн
500+63.62 грн
1000+57.30 грн
2000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+170.80 грн
80+154.08 грн
82+148.80 грн
102+115.65 грн
250+103.82 грн
500+83.59 грн
1000+66.64 грн
3000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.38 грн
10+118.44 грн
100+76.51 грн
500+63.78 грн
1000+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.74 грн
10+122.14 грн
100+89.13 грн
500+64.83 грн
1000+55.25 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.