Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 67.29 грн до 197.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 5100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW |
на замовлення 40641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 7461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 8393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC |
на замовлення 7254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF6668TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 72.73 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 84.88 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 85.45 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 151+ | 93.80 грн |
| 152+ | 93.08 грн |
| 200+ | 87.68 грн |
| 1000+ | 81.08 грн |
| 2000+ | 77.62 грн |
| 4800+ | 75.87 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.20 грн |
| 10+ | 89.38 грн |
| 25+ | 86.76 грн |
| 100+ | 76.10 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 97.20 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
на замовлення 40641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 97.29 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 100.43 грн |
| 500+ | 96.15 грн |
| 1000+ | 90.82 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 100.43 грн |
| 500+ | 96.15 грн |
| 1000+ | 90.82 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.47 грн |
| 126+ | 112.47 грн |
| 138+ | 102.54 грн |
| 500+ | 88.32 грн |
| 1000+ | 72.36 грн |
| 2500+ | 67.29 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 191.80 грн |
| 10+ | 168.43 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 197.55 грн |
| 80+ | 178.22 грн |
| 82+ | 172.10 грн |
| 102+ | 133.77 грн |
| 250+ | 120.08 грн |
| 500+ | 96.68 грн |
| 1000+ | 77.08 грн |
| 3000+ | 71.29 грн |
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6668TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







