Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6668TRPBF
IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4800+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 54.35 грн до 210.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
10+110.64 грн
100+83.82 грн
500+63.39 грн
1000+57.09 грн
2000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.10 грн
10+113.48 грн
100+73.30 грн
500+61.11 грн
1000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.51 грн
10+136.50 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64
IRF6668TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.34 грн
10+110.64 грн
100+83.82 грн
500+63.39 грн
1000+57.09 грн
2000+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf
IRF6668TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.10 грн
10+113.48 грн
100+73.30 грн
500+61.11 грн
1000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+210.51 грн
10+136.50 грн
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.