IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies


irf6668.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 56.17 грн до 185.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+65.76 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+76.74 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.96 грн
500+66.18 грн
1000+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+84.81 грн
152+84.16 грн
200+79.28 грн
1000+73.31 грн
2000+70.19 грн
4800+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+90.81 грн
500+86.94 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
352+90.81 грн
500+86.94 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 352
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+94.17 грн
10+86.58 грн
25+84.05 грн
100+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+108.02 грн
126+101.69 грн
138+92.71 грн
500+79.86 грн
1000+65.42 грн
2500+60.85 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.48 грн
10+105.09 грн
100+81.96 грн
500+66.18 грн
1000+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 14138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.43 грн
10+118.83 грн
100+90.02 грн
500+68.08 грн
1000+61.32 грн
2000+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+178.62 грн
80+161.14 грн
82+155.61 грн
102+120.95 грн
250+108.57 грн
500+87.41 грн
1000+69.69 грн
3000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.53 грн
10+126.75 грн
100+81.87 грн
500+68.26 грн
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+185.81 грн
10+163.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.