Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6668TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1189801-3
Price: 281952.00 UAH
Availability: InStock

irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	58.74 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 53.39 грн до 206.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 3060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
210+	66.36 грн

Мінімальне замовлення: 210

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	71.60 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	83.55 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 5100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
151+	92.33 грн
152+	91.63 грн
200+	86.31 грн
1000+	79.81 грн
2000+	76.41 грн
4800+	74.69 грн

Мінімальне замовлення: 151

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	92.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	95.68 грн
10+	87.98 грн
25+	85.40 грн
100+	74.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
146+	95.68 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 8393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
352+	98.86 грн
500+	94.65 грн
1000+	89.40 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 7461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
352+	98.86 грн
500+	94.65 грн
1000+	89.40 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
119+	117.61 грн
126+	110.72 грн
138+	100.94 грн
500+	86.94 грн
1000+	71.23 грн
2500+	66.24 грн

Мінімальне замовлення: 119

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V

на замовлення 14138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	160.43 грн
10+	108.67 грн
100+	82.32 грн
500+	62.26 грн
1000+	56.07 грн
2000+	53.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf

MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC

на замовлення 7254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	163.14 грн
10+	111.46 грн
100+	72.00 грн
500+	60.02 грн
1000+	54.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	188.80 грн
10+	165.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
72+	194.46 грн
80+	175.43 грн
82+	169.41 грн
102+	131.68 грн
250+	118.20 грн
500+	95.17 грн
1000+	75.87 грн
3000+	70.18 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	206.76 грн
10+	134.07 грн
100+	92.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6668TRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.