IRF6668TRPBF Infineon Technologies


irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 67.29 грн до 197.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.80 грн
152+93.08 грн
200+87.68 грн
1000+81.08 грн
2000+77.62 грн
4800+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.20 грн
10+89.38 грн
25+86.76 грн
100+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF International Rectifier IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
на замовлення 40641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.47 грн
126+112.47 грн
138+102.54 грн
500+88.32 грн
1000+72.36 грн
2500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.80 грн
10+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.55 грн
80+178.22 грн
82+172.10 грн
102+133.77 грн
250+120.08 грн
500+96.68 грн
1000+77.08 грн
3000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
151+93.80 грн
152+93.08 грн
200+87.68 грн
1000+81.08 грн
2000+77.62 грн
4800+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.20 грн
10+89.38 грн
25+86.76 грн
100+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
на замовлення 40641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+119.47 грн
126+112.47 грн
138+102.54 грн
500+88.32 грн
1000+72.36 грн
2500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+191.80 грн
10+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+197.55 грн
80+178.22 грн
82+172.10 грн
102+133.77 грн
250+120.08 грн
500+96.68 грн
1000+77.08 грн
3000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF irf6668.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.