Продукція > INFINEON > IRF6712STRPBF

IRF6712STRPBF INFINEON

Name: IRF6712STRPBF
Brand: INFINEON
SKU: 2719503-6
Price: 876.53 UAH
Availability: InStock

INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6712STRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: DirectFET SQ, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF6712STRPBF за ціною від 34.83 грн до 156.06 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6712STRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

на замовлення 4238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
271+	45.47 грн
276+	44.78 грн
280+	44.09 грн
284+	41.85 грн
289+	38.13 грн
500+	36.01 грн
1000+	35.42 грн
3000+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 271

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

на замовлення 4600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
261+	47.26 грн

Мінімальне замовлення: 261

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

на замовлення 4238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	48.72 грн
25+	47.98 грн
50+	45.55 грн
100+	41.52 грн
250+	39.22 грн
500+	38.58 грн
1000+	37.95 грн
3000+	37.32 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

на замовлення 2209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
459+	67.14 грн
500+	64.29 грн
1000+	60.71 грн

Мінімальне замовлення: 459

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
459+	67.14 грн
500+	64.29 грн
1000+	60.71 грн

Мінімальне замовлення: 459

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6712S_DataSheet_v01_01_EN-1228048.pdf

MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET

на замовлення 4760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	156.06 грн
10+	132.86 грн
100+	96.53 грн
250+	94.25 грн
500+	79.04 грн
1000+	66.66 грн
2500+	62.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS

IRSD-S-A0000572295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6712STRPBF

Виробник : Infineon Technologies

irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c

Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.