IRF6712STRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.09 грн |
| 25+ | 51.30 грн |
| 50+ | 48.71 грн |
| 100+ | 44.39 грн |
| 250+ | 41.93 грн |
| 500+ | 41.26 грн |
| 1000+ | 40.58 грн |
| 3000+ | 39.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6712STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: DirectFET SQ, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6712STRPBF за ціною від 39.90 грн до 76.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
на замовлення 4238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: DirectFET SQ Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 36W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 52.09 грн |
| 276+ | 51.30 грн |
| 280+ | 50.51 грн |
| 284+ | 47.95 грн |
| 289+ | 43.68 грн |
| 500+ | 41.26 грн |
| 1000+ | 40.58 грн |
| 3000+ | 39.90 грн |
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 261+ | 54.14 грн |
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 459+ | 76.92 грн |
| 500+ | 73.65 грн |
| 1000+ | 69.55 грн |
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 459+ | 76.92 грн |
| 500+ | 73.65 грн |
| 1000+ | 69.55 грн |
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF6712STRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)