Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6712STRPBF
IRF6712STRPBF

IRF6712STRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.56 грн
25+51.76 грн
50+49.14 грн
100+44.79 грн
250+42.31 грн
500+41.62 грн
1000+40.94 грн
3000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 15 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6712STRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: DirectFET SQ, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF6712STRPBF за ціною від 40.26 грн до 150.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.56 грн
276+51.76 грн
280+50.96 грн
284+48.37 грн
289+44.07 грн
500+41.62 грн
1000+40.94 грн
3000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.61 грн
500+74.30 грн
1000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.61 грн
500+74.30 грн
1000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6712S_DataSheet_v01_01_EN-1228048.pdf MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+150.17 грн
10+127.84 грн
100+92.88 грн
250+90.68 грн
500+76.06 грн
1000+64.14 грн
2500+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSD-S-A0000572295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6712STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+52.56 грн
276+51.76 грн
280+50.96 грн
284+48.37 грн
289+44.07 грн
500+41.62 грн
1000+40.94 грн
3000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6712STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
261+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6712STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
459+77.61 грн
500+74.30 грн
1000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6712STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
459+77.61 грн
500+74.30 грн
1000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF Infineon_IRF6712S_DataSheet_v01_01_EN-1228048.pdf
IRF6712STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.17 грн
10+127.84 грн
100+92.88 грн
250+90.68 грн
500+76.06 грн
1000+64.14 грн
2500+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRSD-S-A0000572295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6712STRPBF
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.