Продукція > INFINEON > IRF6712STRPBF
IRF6712STRPBF

IRF6712STRPBF INFINEON


INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6712STRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: DirectFET SQ, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF6712STRPBF за ціною від 34.25 грн до 155.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+44.71 грн
276+44.03 грн
280+43.36 грн
284+41.15 грн
289+37.49 грн
500+35.41 грн
1000+34.83 грн
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
261+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 261
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.91 грн
25+47.18 грн
50+44.79 грн
100+40.83 грн
250+38.56 грн
500+37.94 грн
1000+37.32 грн
3000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+66.02 грн
500+63.21 грн
1000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6712s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
459+66.02 грн
500+63.21 грн
1000+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 459
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6712S_DataSheet_v01_01_EN-1228048.pdf MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.26 грн
10+132.17 грн
100+96.03 грн
250+93.76 грн
500+78.64 грн
1000+66.31 грн
2500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSD-S-A0000572295-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies 1041irf6712spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c IRF6712STRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.