IRF6714MTRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 138+ | 103.70 грн |
| 150+ | 95.42 грн |
| 154+ | 92.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
138 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6714MTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6714MTRPBF за ціною від 89.36 грн до 187.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6714MTRPBF | International Rectifier |
 Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V |
на замовлення 56738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRF6714MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF6714MTRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC |
на замовлення 4753 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
| IRF6714MTRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 57902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 288 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
на замовлення 56738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 106.94 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 331+ | 108.02 грн |
| 500+ | 103.43 грн |
| 1000+ | 97.68 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 331+ | 108.02 грн |
| 500+ | 103.43 грн |
| 1000+ | 97.68 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 331+ | 108.02 грн |
| 500+ | 103.43 грн |
| 1000+ | 97.68 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 123.72 грн |
| 10+ | 103.70 грн |
| 25+ | 95.42 грн |
| 100+ | 89.36 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 187.22 грн |
| 10+ | 166.54 грн |
| 100+ | 116.11 грн |
| 500+ | 95.89 грн |
| IRF6714MTRPBF |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)