IRF6714MTRPBF International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 99.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6714MTRPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції IRF6714MTRPBF за ціною від 102.42 грн до 199.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6714MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC |
на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
