 
IRF6715MTRPBF INFINEON
 Виробник: INFINEON
                                                Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 500+ | 124.10 грн | 
| 1000+ | 104.27 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6715MTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018). 
Інші пропозиції IRF6715MTRPBF за ціною від 104.27 грн до 274.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | на замовлення 302 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | на замовлення 4630 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | на замовлення 302 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4769 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | на замовлення 20 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC | товару немає в наявності |