IRF6715MTRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 112.35 грн |
| 1000+ | 93.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6715MTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF6715MTRPBF за ціною від 93.11 грн до 282.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC |
товару немає в наявності |