Продукція > INFINEON > IRF6715MTRPBF
IRF6715MTRPBF

IRF6715MTRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+109.50 грн
1000+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6715MTRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF6715MTRPBF за ціною від 90.75 грн до 275.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+135.58 грн
100+124.52 грн
101+119.34 грн
102+109.82 грн
250+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+135.76 грн
500+129.54 грн
1000+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.26 грн
10+134.13 грн
25+133.41 грн
50+127.86 грн
100+117.66 грн
250+112.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 1600 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+275.44 грн
10+191.95 грн
100+148.91 грн
500+109.50 грн
1000+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82 Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.56 грн
10+238.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82 Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6715M_DataSheet_v01_01_EN-1226905.pdf MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F7007E134E9F1A303005056AB0C4F&compId=irf6715mpbf.pdf?ci_sign=62374627c1017a1a9ad461228f8c75cd0c4ca3e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 78W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.