Продукція > INFINEON > IRF6715MTRPBF
IRF6715MTRPBF

IRF6715MTRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+84.86 грн
1000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6715MTRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF6715MTRPBF за ціною від 74.10 грн до 263.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.22 грн
10+113.78 грн
25+113.17 грн
50+108.46 грн
100+99.80 грн
250+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+132.69 грн
100+121.87 грн
101+116.80 грн
102+107.48 грн
250+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
230+132.87 грн
500+126.79 грн
1000+119.69 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.24 грн
10+139.96 грн
100+106.21 грн
500+84.86 грн
1000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82 Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.57 грн
10+227.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6715m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6715mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82 Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6715M_DataSheet_v01_01_EN-1226905.pdf MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBF IRF6715MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6715mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.