Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6717MTRPBF
IRF6717MTRPBF

IRF6717MTRPBF Infineon Technologies

irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6717MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm.

Інші пропозиції IRF6717MTRPBF за ціною від 69.59 грн до 356.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF Infineon Technologies irf6717mpbf.pdf description IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF Infineon Technologies irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86 description Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.48 грн
10+133.25 грн
50+101.96 грн
100+86.21 грн
500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF Infineon Technologies irf6717mpbf.pdf description IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 15268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.28 грн
10+277.55 грн
25+274.81 грн
100+216.15 грн
250+198.20 грн
500+160.54 грн
1000+148.64 грн
3000+148.23 грн
6000+136.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF Infineon Technologies irf6717mpbf.pdf description IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.64 грн
45+318.09 грн
50+314.47 грн
100+247.47 грн
200+216.23 грн
500+183.83 грн
1000+170.40 грн
2000+160.08 грн
4800+155.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF Infineon Technologies irf6717mpbf.pdf description IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf
IRF6717MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
IRF6717MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.48 грн
10+133.25 грн
50+101.96 грн
100+86.21 грн
500+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf
IRF6717MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 15268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+311.28 грн
10+277.55 грн
25+274.81 грн
100+216.15 грн
250+198.20 грн
500+160.54 грн
1000+148.64 грн
3000+148.23 грн
6000+136.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf
IRF6717MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+356.64 грн
45+318.09 грн
50+314.47 грн
100+247.47 грн
200+216.23 грн
500+183.83 грн
1000+170.40 грн
2000+160.08 грн
4800+155.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf
IRF6717MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.