
IRF6721STRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
517+ | 42.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6721STRPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6721STRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6721STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF6721STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |