IRF6722MTRPBF International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6722MTRPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric MP, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc).
Інші пропозиції IRF6722MTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6722MTRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6722MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику
од. на суму грн.



