IRF6725MTR1PBF

IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies


Infineon_IRF6725M_DataSheet_v01_01_EN-1732561.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.49 грн
10+165.23 грн
100+114.65 грн
250+105.95 грн
500+96.51 грн
1000+82.00 грн
2000+77.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6725MTR1PBF за ціною від 119.73 грн до 234.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6725MTR1PBF IRF6725MTR1PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF6725M_DataSheet_v01_01_EN-1732561.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.51 грн
10+207.79 грн
100+145.13 грн
500+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBF IRF6725MTR1PBF Виробник : Infineon Technologies irf6725mpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBF IRF6725MTR1PBF Виробник : Infineon Technologies IRF6725M%28TR%29PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.