
IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.49 грн |
10+ | 165.23 грн |
100+ | 114.65 грн |
250+ | 105.95 грн |
500+ | 96.51 грн |
1000+ | 82.00 грн |
2000+ | 77.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6725MTR1PBF за ціною від 119.73 грн до 234.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6725MTR1PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRF6725MTR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRF6725MTR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |