Технічний опис IRF6725MTR1PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6725MTR1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6725MTR1PBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF6725MTR1PBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



