IRF6725MTRPBF - Транзисторы - Полевые N-канальные
В наличии/под заказ
Техническое описание IRF6725MTRPBF
Цена IRF6725MTRPBF от 41.07 грн до 41.07 грн
IRF6725MTRPBF Производитель: Rochester Electronics, LLC Description: DIRECTFET POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk ![]() |
под заказ 6729 шт ![]() срок поставки 5-15 дня (дней) |
|
|
||
IRF6725MTRPBF Производитель: Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 15V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Package / Case: DirectFET™ Isometric MX ![]() |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
|
|||
IRF6725MTRPBF Производитель: Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX ![]() |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
|
|||
IRF6725MTRPBF Производитель: Infineon ![]() |
под заказ 4800 шт ![]() срок поставки 14-28 дня (дней) |
|
|