
IRF6726MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
199+ | 114.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6726MTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6726MTRPBF за ціною від 90.55 грн до 284.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRF6726MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRF6726MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |