IRF6727MTRPBF
Код товару: 204365
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF6727MTRPBF за ціною від 59.81 грн до 223.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 80400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 9069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6727MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF6727MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF6727MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 180A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 89W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |