Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6727MTRPBF

IRF6727MTRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6727MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1928541-3
Price: 300432.00 UAH
Availability: InStock

irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V

на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	62.59 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6727MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6727MTRPBF за ціною від 66.29 грн до 209.16 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	71.57 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	76.69 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	77.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	79.35 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 80400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
253+	123.33 грн
500+	110.89 грн
1000+	102.36 грн
10000+	88.01 грн

Мінімальне замовлення: 253

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 9069 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
253+	123.33 грн
500+	110.89 грн
1000+	102.36 грн

Мінімальне замовлення: 253

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	129.97 грн
250+	122.23 грн
1000+	79.93 грн
2000+	72.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-3362812.pdf

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC

на замовлення 1387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	196.94 грн
10+	124.42 грн
100+	104.35 грн
500+	81.33 грн
1000+	75.81 грн
4800+	66.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V

на замовлення 16135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	207.50 грн
10+	129.48 грн
100+	89.29 грн
500+	69.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 6019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	209.16 грн
50+	129.97 грн
250+	122.23 грн
1000+	79.93 грн
2000+	72.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF
Код товару: 204365

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6727MTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F719561A82EF1A303005056AB0C4F&compId=irf6727mpbf.pdf?ci_sign=0d47fe75e18f0aeb0e9cfe7b5a6140800bd8f964

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.