Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6727MTRPBF
IRF6727MTRPBF

IRF6727MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+52.74 грн
232+52.50 грн
237+49.69 грн
4800+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6727MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6727MTRPBF за ціною від 43.17 грн до 203.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+80.91 грн
14+45.53 грн
25+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 110400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+110.56 грн
500+105.49 грн
1000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
276+110.56 грн
500+105.49 грн
1000+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 276
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.96 грн
250+116.08 грн
1000+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-3362812.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.53 грн
10+125.76 грн
100+89.54 грн
500+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 23484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.68 грн
10+113.68 грн
100+100.20 грн
500+74.08 грн
1000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 0.00122 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.35 грн
50+139.96 грн
250+116.08 грн
1000+78.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF
Код товару: 204365
Додати до обраних Обраний товар

irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6727m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6727mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6727mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.