Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IRF6727MTRPBF

IRF6727MTRPBF

irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a
Код товару: 204365
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF6727MTRPBF за ціною від 62.75 грн до 188.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 80400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.32 грн
500+125.27 грн
1000+115.63 грн
10000+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.32 грн
500+125.27 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.58 грн
10+117.41 грн
100+80.93 грн
500+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-3362812.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Infineon Technologies infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4800+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 80400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.32 грн
500+125.27 грн
1000+115.63 грн
10000+99.42 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
253+139.32 грн
500+125.27 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF irf6727mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed6a331a9a
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.58 грн
10+117.41 грн
100+80.93 грн
500+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF Infineon_IRF6727M_DataSheet_v01_01_EN-3362812.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF infineonirf6727mdatasheetv0101en.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.