Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6775MTRPBF
IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 45.77 грн до 148.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+63.66 грн
195+62.66 грн
198+61.66 грн
250+58.50 грн
500+53.28 грн
1000+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+68.20 грн
25+67.13 грн
100+63.71 грн
250+58.03 грн
500+54.80 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.74 грн
500+58.23 грн
1000+46.72 грн
5000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+76.78 грн
168+72.80 грн
171+71.66 грн
2000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0 Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 13062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.40 грн
10+74.34 грн
100+62.58 грн
500+55.89 грн
1000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.36 грн
10+88.00 грн
100+73.74 грн
500+58.23 грн
1000+46.72 грн
5000+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.39 грн
10+105.11 грн
100+69.54 грн
250+66.19 грн
500+58.65 грн
1000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.