Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 38687681-3
Price: 255360 UAH
Availability: InStock

irf6775mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed84751aa0

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	53.20 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6775MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 44.80 грн до 147.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

infineon-irf6775m-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 1822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
192+	63.96 грн
195+	62.96 грн
198+	61.96 грн
250+	58.78 грн
500+	53.53 грн
1000+	50.53 грн

Мінімальне замовлення: 192

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 1822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	68.53 грн
25+	67.46 грн
100+	64.02 грн
250+	58.31 грн
500+	55.06 грн
1000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : International Rectifier

IRSDS19125-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

на замовлення 4187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
303+	74.72 грн

Мінімальне замовлення: 303

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	75.44 грн
500+	57.44 грн
1000+	46.11 грн
5000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
159+	77.16 грн
168+	73.15 грн
171+	72.01 грн
2000+	66.20 грн

Мінімальне замовлення: 159

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 1649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
315+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 315

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
315+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 315

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 2081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
315+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 315

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V

на замовлення 13152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	113.74 грн
10+	84.55 грн
100+	67.83 грн
500+	59.58 грн
1000+	58.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : INFINEON

на замовлення 8299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	128.13 грн
10+	95.89 грн
100+	75.44 грн
500+	57.44 грн
1000+	46.11 грн
5000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf

MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio

на замовлення 5701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	147.38 грн
10+	104.39 грн
100+	69.06 грн
250+	65.73 грн
500+	58.24 грн
1000+	52.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F71FD58A9D5F1A303005056AB0C4F&compId=irf6775mpbf.pdf?ci_sign=c0ef2e83ee833978b3a3af32dcf3e110c8b2ac83

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6775MTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.