Продукція > INFINEON > IRF6775MTRPBF
IRF6775MTRPBF

IRF6775MTRPBF INFINEON

INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+77.21 грн
500+62.54 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6775MTRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 48.91 грн до 148.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.32 грн
10+97.27 грн
100+64.35 грн
250+61.25 грн
500+54.27 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.84 грн
10+100.32 грн
100+77.21 грн
500+62.54 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF Infineon_IRF6775M_DataSheet_v01_01_EN-3362919.pdf
IRF6775MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.32 грн
10+97.27 грн
100+64.35 грн
250+61.25 грн
500+54.27 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+148.84 грн
10+100.32 грн
100+77.21 грн
500+62.54 грн
1000+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.