IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 51.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 43.07 грн до 180.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
на замовлення 4187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 1649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
на замовлення 12877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товару немає в наявності |