Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6785MTRPBF
IRF6785MTRPBF

IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 63.79 грн до 200.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+89.83 грн
10+89.38 грн
25+88.93 грн
100+85.31 грн
250+78.58 грн
500+75.05 грн
1000+74.66 грн
3000+74.27 грн
6000+73.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+96.74 грн
127+96.25 грн
128+91.87 грн
250+84.63 грн
500+80.82 грн
1000+80.40 грн
3000+79.98 грн
6000+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
500+103.46 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
500+103.46 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
500+103.46 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 37191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+107.52 грн
500+103.46 грн
1000+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
10+125.83 грн
100+105.04 грн
500+83.61 грн
1000+70.46 грн
2000+67.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6785_DataSheet_v01_01_EN-3363288.pdf MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.36 грн
10+184.84 грн
2500+79.26 грн
4800+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6785mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6785mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.