Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6785MTRPBF
IRF6785MTRPBF

IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 68.84 грн до 206.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4800+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 4800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+92.57 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
126+97.44 грн
127+96.95 грн
128+92.53 грн
250+85.24 грн
500+81.41 грн
1000+80.98 грн
3000+80.56 грн
6000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.40 грн
10+103.88 грн
25+103.35 грн
100+99.14 грн
250+91.33 грн
500+87.22 грн
1000+86.77 грн
3000+86.32 грн
6000+85.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+108.29 грн
500+104.21 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+108.29 грн
500+104.21 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+108.29 грн
500+104.21 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 37191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
284+108.29 грн
500+104.21 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.01 грн
10+129.69 грн
100+108.26 грн
500+86.17 грн
1000+72.62 грн
2000+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6785_DataSheet_v01_01_EN-3363288.pdf MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.50 грн
10+190.50 грн
2500+81.69 грн
4800+75.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F721B77381DF1A303005056AB0C4F&compId=irf6785mpbf.pdf?ci_sign=9ead012a52e6c003d2cb3151b6ca9ff5aeb45017 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F721B77381DF1A303005056AB0C4F&compId=irf6785mpbf.pdf?ci_sign=9ead012a52e6c003d2cb3151b6ca9ff5aeb45017 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.