IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 61.18 грн до 124.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 81600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 81600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 8705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 6606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 37191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 11932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF6785MTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 73.96 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 73.96 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 106.56 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 106.56 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.16 грн |
| 10+ | 111.60 грн |
| 25+ | 111.03 грн |
| 100+ | 106.51 грн |
| 250+ | 98.12 грн |
| 500+ | 93.70 грн |
| 1000+ | 93.22 грн |
| 3000+ | 92.74 грн |
| 6000+ | 92.24 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 126+ | 112.16 грн |
| 127+ | 111.60 грн |
| 128+ | 106.51 грн |
| 250+ | 98.12 грн |
| 500+ | 93.70 грн |
| 1000+ | 93.22 грн |
| 3000+ | 92.74 грн |
| 6000+ | 92.24 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 8705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.66 грн |
| 10+ | 87.74 грн |
| 100+ | 76.60 грн |
| 500+ | 67.33 грн |
| 1000+ | 64.14 грн |
| 2000+ | 61.18 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.66 грн |
| 500+ | 119.95 грн |
| 1000+ | 112.95 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.66 грн |
| 500+ | 119.95 грн |
| 1000+ | 112.95 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 37191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.66 грн |
| 500+ | 119.95 грн |
| 1000+ | 112.95 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.66 грн |
| 500+ | 119.95 грн |
| 1000+ | 112.95 грн |
| IRF6785MTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




