Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6785MTRPBF

IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

Name: IRF6785MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 28976983-5
Price: 312816.00 UAH
Availability: InStock

infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 81600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	65.17 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 64.93 грн до 209.47 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 81600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	69.83 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4800+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 4800

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
133+	93.90 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 14165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
126+	98.84 грн
127+	98.35 грн
128+	93.87 грн
250+	86.47 грн
500+	82.58 грн
1000+	82.15 грн
3000+	81.72 грн
6000+	81.29 грн

Мінімальне замовлення: 126

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	100.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 14165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	105.90 грн
10+	105.37 грн
25+	104.84 грн
100+	100.57 грн
250+	92.64 грн
500+	88.47 грн
1000+	88.02 грн
3000+	87.56 грн
6000+	87.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 4482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	109.85 грн
500+	105.71 грн
1000+	99.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 11932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	109.85 грн
500+	105.71 грн
1000+	99.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 6606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	109.85 грн
500+	105.71 грн
1000+	99.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

на замовлення 37191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
284+	109.85 грн
500+	105.71 грн
1000+	99.54 грн

Мінімальне замовлення: 284

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

на замовлення 8705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	126.99 грн
10+	93.12 грн
100+	81.29 грн
500+	71.46 грн
1000+	68.07 грн
2000+	64.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRF6785_DataSheet_v01_01_EN-3363288.pdf

MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	209.47 грн
10+	193.25 грн
2500+	82.87 грн
4800+	76.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : INFINEON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF6785MTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F721B77381DF1A303005056AB0C4F&compId=irf6785mpbf.pdf?ci_sign=9ead012a52e6c003d2cb3151b6ca9ff5aeb45017

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 57W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.