IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 66.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 66.62 грн до 214.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 81600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 11932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 6606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 37191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 8705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |