IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 16.49 грн |
| 36+ | 16.22 грн |
| 37+ | 15.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6795MTR1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6795MTR1PBF | Виробник : Infineon / IR |
 MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
IRF6795MTR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF6795MTR1PBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF6795MTR1PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V |
товар відсутній |