IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 21.72 грн |
| 36+ | 21.37 грн |
| 37+ | 21.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
35 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6795MTR1PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6795MTR1PBF | Infineon / IR |
 MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IRF6795MTR1PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF6795MTR1PBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF6795MTR1PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)