IRF6795MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4800+ | 50.53 грн |
| 9600+ | 50.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6795MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6795MTRPBF за ціною від 43.75 грн до 244.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 4299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6795MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 75W Kanaltyp: n-Kanal + Schottky euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6795MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V |
на замовлення 36656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 4299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6795MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товару немає в наявності |