
IRF6811STRPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 35276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
430+ | 51.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6811STRPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ, Part Status: Active, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6811STRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6811STRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 5259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
IRF6811STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF6811STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 74A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 32W Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4800 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF6811STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 74A; 32W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 74A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 32W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |