IRF6811STRPBF International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Vgs (Max): ±16V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6811STRPBF International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT, Vgs (Max): ±16V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V.
Інші пропозиції IRF6811STRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6811STRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC |
на замовлення 5259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF6811STRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



