
IRF6892STRPBF International Rectifier

Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
392+ | 56.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6892STRPBF International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6892STRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6892STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
IRF6892STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |