IRF6894MTRPBF

IRF6894MTRPBF Infineon / IR


Infineon-IRF6894M-DS-v02_00-EN-1227576.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 26nC
на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6894MTRPBF Infineon / IR

Description: 25V 999A DIRECTFET-LV, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V.

Інші пропозиції IRF6894MTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF
Код товару: 101384
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0002837981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF Виробник : Infineon Technologies 332298031505198irf6894mpbf.pdffileid5546d462533600a4015355f0cc041abc.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 37A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6894mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 54W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 54W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF Виробник : International Rectifier INFN-S-A0002837981-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6894MTRPBF IRF6894MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6894mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 54W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 54W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.