IRF6894MTRPBF
Код товару: 101384
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF6894MTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6894MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 26nC |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRF6894MTRPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF6894MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 54W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 170A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 54W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |