Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7101PBF
IRF7101PBF

IRF7101PBF

irf7101pbf-datasheet.pdf
Код товару: 30739
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 320/15
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+13.00 грн
100+10.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7101PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:20V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:3.5A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vgs th:3V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7101
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:Dual N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:20V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF7101PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7101PBF International Rectifier irf7101pbf.pdf description SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF International Rectifier/Infineon irf7101pbf.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 320 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF IRF7101PBF Infineon Technologies infineon-irf7101-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF IRF7101PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7101_DataSheet_v01_01_EN-1732536.pdf description MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF description irf7101pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF description irf7101pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 320 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF description infineon-irf7101-datasheet-en.pdf
IRF7101PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7101PBF description Infineon_IRF7101_DataSheet_v01_01_EN-1732536.pdf
IRF7101PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.