Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7101TRPBF

IRF7101TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF7101TRPBF
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 459849536-1
Price: 94840 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7101TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7101TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRF7101TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7101TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7101TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.