IRF7103TR Infineon


7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 7818 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TR Infineon

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції IRF7103TR за ціною від 8.84 грн до 36.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7103TR Виробник : Infineon 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR Виробник : IR 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+36.39 грн
10+29.91 грн
100+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TR IRF7103TR Виробник : UMW 7ccc804b64b09e0c7af0b55407a6d3c7.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.