Продукція > INFINEON > IRF7103TRPBFXTMA1

IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON

Name: IRF7103TRPBFXTMA1
Brand: INFINEON
SKU: 3442700-6
Price: 3507 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	35.07 грн
500+	25.76 грн
1000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7103TRPBFXTMA1 за ціною від 17.61 грн до 86.48 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902

на замовлення 3031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	81.77 грн
10+	49.54 грн
100+	32.47 грн
500+	23.59 грн
1000+	21.38 грн
2000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	83.15 грн
16+	52.69 грн
100+	35.07 грн
500+	25.76 грн
1000+	21.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs PLANAR 40<-<100V

на замовлення 2697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.48 грн
10+	53.76 грн
100+	31.12 грн
500+	24.59 грн
1000+	22.09 грн
2000+	20.26 грн
4000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	19.46 грн
8000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4000+	19.72 грн

Мінімальне замовлення: 4000

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7103TRPBFXTMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.