Продукція > INFINEON > IRF7103TRPBFXTMA1
IRF7103TRPBFXTMA1

IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON

3732771.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.81 грн
500+25.12 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7103TRPBFXTMA1 за ціною від 17.55 грн до 84.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.66 грн
10+45.73 грн
100+29.69 грн
500+22.99 грн
1000+20.87 грн
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.88 грн
10+48.72 грн
100+31.97 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
2000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7103pbf_1.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.70 грн
10+52.36 грн
100+29.88 грн
500+23.19 грн
1000+21.00 грн
2000+19.17 грн
4000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.70 грн
19+44.24 грн
100+32.81 грн
500+25.12 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+77.66 грн
10+45.73 грн
100+29.69 грн
500+22.99 грн
1000+20.87 грн
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.88 грн
10+48.72 грн
100+31.97 грн
500+23.23 грн
1000+21.05 грн
2000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf_1.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.70 грн
10+52.36 грн
100+29.88 грн
500+23.19 грн
1000+21.00 грн
2000+19.17 грн
4000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 3732771.pdf
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.70 грн
19+44.24 грн
100+32.81 грн
500+25.12 грн
1000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.