Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7104PBF
IRF7104PBF

IRF7104PBF

infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Код товару: 23932
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,25 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності 67 шт:
42 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7104PBF IR

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:PP
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:2.3A
  • On State Resistance:0.025ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Transistors:2
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:2.0W
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7104PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7104PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7104PBF Виробник : International Rectifier/Infineon infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 290 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 250 мОм @ 1 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104PBF IRF7104PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7104-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

BAS316
Код товару: 203507
Додати до обраних Обраний товар

BAS316-nex.pdf
BAS316
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-323
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,25 A
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
у наявності: 230 шт
230 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 5100 шт
5100 шт - очікується 09.03.2026
Кількість Ціна
50+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC847A (SOT-23, Nexperia)
Код товару: 51705
Додати до обраних Обраний товар

BC847A (SOT-23, Nexperia)
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 290
Монтаж: SMD
у наявності: 3737 шт
2708 шт - склад
170 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
173 шт - РАДІОМАГ-Харків
486 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
500 шт - очікується
Кількість Ціна
34+1.50 грн
63+0.80 грн
100+0.60 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.