Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7104TRPBF
IRF7104TRPBF

IRF7104TRPBF Infineon Technologies

irf7104.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7104TRPBF за ціною від 15.87 грн до 93.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
713+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 713
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
553+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
360+33.83 грн
443+27.52 грн
447+27.25 грн
565+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 360
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.76 грн
19+31.73 грн
25+31.41 грн
100+24.65 грн
250+22.59 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.28 грн
16+53.38 грн
100+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.07 грн
10+56.26 грн
25+48.77 грн
100+33.03 грн
250+32.96 грн
500+26.28 грн
4000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.15 грн
10+56.68 грн
100+37.49 грн
500+27.44 грн
1000+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace (MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
на замовлення 23108 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73473BB245F1A303005056AB0C4F&compId=irf7104pbf.pdf?ci_sign=e5ad76f1ac31c77ea305a7fd6f10a5c85b412e65 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73473BB245F1A303005056AB0C4F&compId=irf7104pbf.pdf?ci_sign=e5ad76f1ac31c77ea305a7fd6f10a5c85b412e65 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.