IRF7104TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 14.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7104TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF7104TRPBF за ціною від 19.02 грн до 103.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A |
на замовлення 4771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7104TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
(MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8) |
на замовлення 23108 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRF7104TRPBF |
IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
товару немає в наявності |