IRF7104TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 30.47 грн |
| 8000+ | 28.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7104TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF7104TRPBF за ціною від 21.81 грн до 106.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A |
на замовлення 4305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7104TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7104TRPBF |
IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 108 шт: термін постачання 4 дні (днів) |