Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7105PBF
IRF7105PBF

IRF7105PBF

irf7105pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113418
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори N+P в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
2+18.00 грн
10+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF7105PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7105PBF International Rectifier irf7105.pdf description (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF International Rectifier/Infineon irf7105pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF IRF7105PBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF IRF7105PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf description MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF description irf7105.pdf
Виробник: International Rectifier
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF description irf7105pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, I2 = 2,3 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF description irf7105pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 25, Id = 3,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 15, Qg, нКл = 27 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Id2 = 2,3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105PBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf
IRF7105PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

MC34119L
Код товару: 23071
Додати до обраних Обраний товар
MC34119L
Виробник: UTC
Мікросхеми > Телефонія
Корпус: SO-8
Короткий опис: Малопотужний аудіопідсилювач
у наявності: 57 шт
  • 56 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
2+14.00 грн
10+12.50 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCP6022-I/SN
Код товару: 25959
2 Додати до обраних Обраний товар
mcp6022-isn.pdf
Виробник: Microchip
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Напруга живлення Vc, В: 2,5,...5,5 В
Смуга пропускання BW, МГц: 10 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 0,5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 7 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 88 шт
  • 19 шт - склад
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+77.00 грн
10+69.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LD1117S33CTR
Код товару: 2052
Додати до обраних Обраний товар
LD1117 series.pdf
LD1117S33CTR
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-223
Напруга входу Uin, В: 15 В
Напруга виходу Uout, В: 3,3 В
Струм виходу Iout, А: 0,8 А
Падіння напруги Udrop, В: 1,1 В
Тип виходу: Фіксований
Темп. діапазон: -40...150°С
Монтаж: SMD
у наявності: 971 шт
  • 757 шт - склад
  • 80 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 60 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 59 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846A (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 2036
Додати до обраних Обраний товар
BC846A.pdf
BC846A (біполярний транзистор NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 220
Монтаж: SMD
у наявності: 1794 шт
  • 1330 шт - склад
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 148 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 61 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 180 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846B (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 2035
Додати до обраних Обраний товар
BC846, 847.pdf
BC846B (біполярний транзистор NPN)
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 186 шт
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 136 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
23+0.90 грн
100+0.74 грн
1000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.