Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF Infineon Technologies

irf7105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7105TRPBF за ціною від 13.38 грн до 87.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.30 грн
8000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+28.00 грн
10000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
395+33.17 грн
596+21.98 грн
602+21.76 грн
608+20.77 грн
1000+16.29 грн
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 395
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+36.55 грн
439+29.83 грн
664+19.71 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+43.58 грн
21+36.66 грн
25+35.54 грн
100+22.71 грн
250+20.82 грн
500+19.78 грн
1000+16.76 грн
3000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.86 грн
15+29.34 грн
25+24.52 грн
50+21.44 грн
100+18.95 грн
250+16.54 грн
500+15.13 грн
1000+14.21 грн
2000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.36 грн
250+35.37 грн
1000+23.04 грн
2000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.63 грн
10+36.56 грн
25+29.42 грн
50+25.73 грн
100+22.74 грн
250+19.85 грн
500+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.25 грн
10+43.24 грн
100+28.35 грн
500+20.58 грн
1000+18.64 грн
2000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.12 грн
10+46.77 грн
25+38.32 грн
100+26.65 грн
250+26.58 грн
500+20.51 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 27055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.01 грн
50+52.36 грн
250+35.37 грн
1000+23.04 грн
2000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF infineon-irf7105-datasheet-en.pdf IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.