Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF

infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105TRPBF

  • MOSFET
  • Continuous Drain Current, Id:3.5

Інші пропозиції IRF7105TRPBF за ціною від 16.45 грн до 98.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.23 грн
8000+17.15 грн
12000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+30.20 грн
10000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.43 грн
438+32.24 грн
443+31.92 грн
516+26.41 грн
1000+23.32 грн
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.76 грн
19+40.83 грн
25+40.43 грн
100+31.09 грн
250+28.50 грн
500+23.47 грн
1000+22.39 грн
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.31 грн
250+32.33 грн
1000+21.71 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies irf7105.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.74 грн
262+53.95 грн
264+53.47 грн
365+37.34 грн
588+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.43 грн
11+41.31 грн
50+28.87 грн
100+24.55 грн
250+19.81 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.17 грн
50+49.31 грн
250+32.33 грн
1000+21.71 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.91 грн
10+48.07 грн
100+31.50 грн
500+22.87 грн
1000+20.71 грн
2000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 4019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.46 грн
10+59.85 грн
100+34.25 грн
500+26.93 грн
1000+23.00 грн
2000+20.89 грн
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF infineon-irf7105-datasheet-en.pdf description IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.23 грн
8000+17.15 грн
12000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 54977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+30.20 грн
10000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+40.43 грн
438+32.24 грн
443+31.92 грн
516+26.41 грн
1000+23.32 грн
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+47.76 грн
19+40.83 грн
25+40.43 грн
100+31.09 грн
250+28.50 грн
500+23.47 грн
1000+22.39 грн
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.31 грн
250+32.33 грн
1000+21.71 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+54.74 грн
262+53.95 грн
264+53.47 грн
365+37.34 грн
588+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.43 грн
11+41.31 грн
50+28.87 грн
100+24.55 грн
250+19.81 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.17 грн
50+49.31 грн
250+32.33 грн
1000+21.71 грн
2000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.91 грн
10+48.07 грн
100+31.50 грн
500+22.87 грн
1000+20.71 грн
2000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 4019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.46 грн
10+59.85 грн
100+34.25 грн
500+26.93 грн
1000+23.00 грн
2000+20.89 грн
4000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description infineon-irf7105-datasheet-en.pdf
IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.