Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF Infineon Technologies

irf7105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7105TRPBF за ціною від 10.92 грн до 88.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.12 грн
8000+20.68 грн
12000+19.22 грн
20000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.95 грн
8000+22.46 грн
12000+20.89 грн
20000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+25.91 грн
10000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+33.95 грн
500+27.30 грн
1000+24.22 грн
2000+21.29 грн
4000+18.23 грн
8000+17.13 грн
12000+15.91 грн
20000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.05 грн
17+23.99 грн
25+20.72 грн
50+18.57 грн
82+11.56 грн
224+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар

irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73624E9CF8F1A303005056AB0C4F&compId=irf7105pbf.pdf?ci_sign=dd73476fc951e3f65fd1e97ec32dcb771610ef64 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.26 грн
10+29.90 грн
25+24.87 грн
50+22.28 грн
82+13.87 грн
224+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
234+51.85 грн
354+34.30 грн
370+32.83 грн
500+25.38 грн
1000+19.99 грн
3000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 234
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.93 грн
250+37.34 грн
1000+24.31 грн
2000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 3734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.46 грн
10+47.82 грн
100+31.34 грн
500+22.76 грн
1000+20.61 грн
2000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+81.56 грн
239+50.79 грн
500+34.08 грн
1000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7105-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 8592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.45 грн
10+51.83 грн
25+43.69 грн
100+29.53 грн
250+29.46 грн
500+22.72 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.41 грн
50+54.93 грн
250+37.34 грн
1000+24.31 грн
2000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+88.80 грн
13+56.68 грн
25+55.55 грн
100+35.43 грн
250+31.40 грн
500+24.17 грн
1000+20.56 грн
3000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.