Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF Infineon Technologies

irf7105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7105TRPBF за ціною від 12.87 грн до 92.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.92 грн
8000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1169+26.61 грн
10000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+37.94 грн
560+22.24 грн
565+22.02 грн
571+21.03 грн
1000+15.93 грн
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.18 грн
15+28.21 грн
25+23.58 грн
50+20.62 грн
100+18.22 грн
250+15.91 грн
500+14.55 грн
1000+13.67 грн
2000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF
Код товару: 140019
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
274+45.52 грн
361+34.49 грн
623+19.98 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+35.16 грн
25+28.29 грн
50+24.75 грн
100+21.87 грн
250+19.09 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.49 грн
17+41.91 грн
25+40.65 грн
100+22.98 грн
250+21.07 грн
500+20.02 грн
1000+16.39 грн
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.95 грн
250+37.79 грн
1000+24.62 грн
2000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7105-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.85 грн
10+47.32 грн
100+31.00 грн
500+22.51 грн
1000+20.38 грн
2000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 25V 3.5A
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.36 грн
10+51.97 грн
25+42.59 грн
100+29.62 грн
250+29.54 грн
500+22.79 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002185061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7105TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.96 грн
50+55.95 грн
250+37.79 грн
1000+24.62 грн
2000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF infineon-irf7105-datasheet-en.pdf IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7105.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.