Технічний опис IRF7106 IR
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7106
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7106 | Виробник : IRF |
 |
на замовлення 8865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7106 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
 |
IRF7106 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товар відсутній |