IRF7201TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1137+ | 26.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7201TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N.
Інші пропозиції IRF7201TRPBFXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7201TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF7201TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PLANAR <=40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7201TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs |
товару немає в наявності |