Технічний опис IRF7204PBF
- MOSFET, P, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-20V
- Cont Current Id:5.3A
- On State Resistance:0.06ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-2.5V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:20V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:21A
- SMD Marking:F7204
- Voltage Vds:20V
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7204PBF за ціною від 15.58 грн до 18.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7204PBF | International Rectifier/Infineon |
  P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF7204PBF | |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 18.17 грн |
| 190+ | 15.58 грн |