IRF7204TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2998+ | 31.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7204TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7204TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7204TRPBF за ціною від 26.45 грн до 89.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7204TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7204TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF7204TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC |
на замовлення 6009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7204TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7204TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF7204TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRF7204TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRF7204TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF7204TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V |
товар відсутній |