Технічний опис IRF7205PBF
- MOSFET, P, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-30V
- Cont Current Id:4.6A
- On State Resistance:0.07ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-3V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.5W
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:15A
- SMD Marking:F7205
- Voltage Vds:30V
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7205PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7205PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7205PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC |
товару немає в наявності |