Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7205TRPBF
IRF7205TRPBF

IRF7205TRPBF Infineon Technologies

irf7205.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7205TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRF7205TRPBF за ціною від 17.00 грн до 51.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.14 грн
8000+18.29 грн
12000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 13423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.53 грн
10+43.08 грн
100+32.76 грн
500+23.86 грн
1000+21.64 грн
2000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7205_DataSheet_v01_01_EN-3362920.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.92 грн
10+46.08 грн
100+31.32 грн
500+24.45 грн
1000+22.03 грн
2000+20.15 грн
4000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF Виробник : INFINEON 137515.pdf Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.64 грн
50+49.86 грн
250+39.19 грн
1000+25.70 грн
2000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF
Код товару: 205318
Додати до обраних Обраний товар

irf7205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f15e771ae2 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7205.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.