IRF7210PBF International Rectifier


irf7210.pdf
Виробник: International Rectifier
Транзистори
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7210PBF International Rectifier

Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SO, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta).

Інші пропозиції IRF7210PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7210PBF IRF7210PBF Infineon Technologies IRF7210PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBF IRF7210PBF Infineon / IR irf7210pbf-1169283.pdf MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBF IRF7210PbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17179 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 500µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7210PBF irf7210pbf-1169283.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 7mOhms 212nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.