IRF7241TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 18.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7241TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7241TRPBF за ціною від 16.61 грн до 93.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7241TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC |
на замовлення 8505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V |
на замовлення 6219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7241TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7241TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7241TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET P-CH, Udss=-40V, Id=-6.2A, SO-8, -55...+150 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF7241TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |