Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7303TRPBF
IRF7303TRPBF

IRF7303TRPBF Infineon Technologies

irf7303.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7303TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7303TRPBF за ціною від 19.67 грн до 96.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+61.53 грн
200+61.01 грн
287+42.41 грн
290+40.52 грн
500+30.91 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN-3223916.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
на замовлення 13946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.08 грн
10+41.36 грн
100+35.15 грн
500+32.15 грн
1000+26.13 грн
4000+25.47 грн
8000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.61 грн
16+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+83.11 грн
11+57.14 грн
25+56.65 грн
100+37.98 грн
250+34.84 грн
500+27.56 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+90.88 грн
197+61.91 грн
293+41.55 грн
500+36.62 грн
1000+32.17 грн
4000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
10+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF Виробник : IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.56 грн
10+38.26 грн
100+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.40 грн
100+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8
на замовлення 56 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF
Код товару: 29858
Додати до обраних Обраний товар

irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.