IRF7303TRPBF


irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Код товару: 29858
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7303TRPBF за ціною від 30.19 грн до 76.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+45.45 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.56 грн
4000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.56 грн
4000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
779+45.45 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.56 грн
4000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+76.56 грн
4000+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.