Продукція > INFINEON > IRF7303TRPBF
IRF7303TRPBF

IRF7303TRPBF INFINEON

INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.11 грн
500+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7303TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7303TRPBF за ціною від 20.31 грн до 67.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.48 грн
29+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
224+51.45 грн
248+ 46.36 грн
276+ 41.77 грн
286+ 38.8 грн
500+ 34.3 грн
1000+ 31.45 грн
4000+ 28.66 грн
8000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 224
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN-3223916.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A
на замовлення 19260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.44 грн
10+ 43.8 грн
100+ 31.08 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 22.78 грн
2000+ 22.58 грн
4000+ 22.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+67.33 грн
15+ 48.84 грн
100+ 36.11 грн
500+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7303TRPBF Виробник : IR irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=30V; Id=4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.97 грн
10+ 36.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7303TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.4 грн
100+ 32.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF
Код товару: 29858 		irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7303pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товар відсутній
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній