Інші пропозиції IRF7303TRPBF за ціною від 25.54 грн до 86.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 6855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF7303TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7303TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 4.9A |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7303TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |