Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7303TRPBFXTMA1
IRF7303TRPBFXTMA1

IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+25.08 грн
8000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7303TRPBFXTMA1 за ціною від 21.85 грн до 104.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.31 грн
500+31.00 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.55 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
1000+26.77 грн
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.43 грн
10+65.01 грн
100+37.50 грн
500+29.32 грн
1000+26.64 грн
2000+24.46 грн
4000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON 3732760.pdf Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.43 грн
16+53.12 грн
100+39.31 грн
500+31.00 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.62 грн
8000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.62 грн
8000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.31 грн
500+31.00 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 9209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.91 грн
10+60.55 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
1000+26.77 грн
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7303_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 11354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+104.43 грн
10+65.01 грн
100+37.50 грн
500+29.32 грн
1000+26.64 грн
2000+24.46 грн
4000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 3732760.pdf
IRF7303TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+104.43 грн
16+53.12 грн
100+39.31 грн
500+31.00 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+40.62 грн
8000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 infineonirf7303datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+40.62 грн
8000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.