IRF7304PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7304PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції IRF7304PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7304PBF |
IRF7304PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
 |
IRF7304PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7304PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX |
товару немає в наявності |