Продукція > INFINEON > IRF7304TRPBF
IRF7304TRPBF

IRF7304TRPBF INFINEON


INFN-S-A0004708796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+74.7 грн
100+ 58.27 грн
500+ 44.74 грн
1000+ 36.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7304TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IRF7304TRPBF за ціною від 19.39 грн до 624 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF7304_DataSheet_v01_01_EN-1228267.pdf MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
10+ 76.58 грн
100+ 51.94 грн
500+ 42.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7304TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 4,3; Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 90 мОм @ 2,2 A; 4,5 В; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; ; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.39 грн
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7304.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7304.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7304pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7304.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7304pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1dcf21b02 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7304TRPBF IRF7304TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7304pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній