Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7304TRPBF Infineon / IR
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF7304TRPBF за ціною від 17.90 грн до 17.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7304TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF7304TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF7304TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7304TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.3 A, 4.3 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7304TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 610 @ 15, Qg, нКл = 22 @ 4,5 В, Rds = 90 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, , Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 17.90 грн |





