IRF7306TR JSMSEMI
Виробник: JSMSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7306TR JSMSEMI
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7306TR за ціною від 20.92 грн до 43.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7306TR | Виробник : Infineon |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| IRF7306TR | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
IRF7306TR |
на замовлення 15218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IRF7306TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |