Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

IRF7306TRPBF Infineon Technologies

irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+25.97 грн
8000+23.28 грн
12000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7306TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7306TRPBF за ціною від 24.72 грн до 141.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.62 грн
8000+35.87 грн
12000+35.52 грн
20000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.74 грн
8000+35.99 грн
12000+35.64 грн
20000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+47.36 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.88 грн
250+53.25 грн
1000+35.27 грн
2000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.37 грн
10+66.79 грн
50+46.22 грн
100+39.62 грн
500+29.46 грн
1000+26.83 грн
2000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a description Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.40 грн
100+41.41 грн
500+30.41 грн
1000+27.68 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.39 грн
177+79.89 грн
246+57.59 грн
500+44.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
50+76.88 грн
250+53.25 грн
1000+35.27 грн
2000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.94 грн
10+86.54 грн
100+49.51 грн
500+38.96 грн
1000+33.26 грн
2000+30.10 грн
4000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Infineon Technologies irf7306.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+36.62 грн
8000+35.87 грн
12000+35.52 грн
20000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+36.74 грн
8000+35.99 грн
12000+35.64 грн
20000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
745+47.36 грн
1000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.88 грн
250+53.25 грн
1000+35.27 грн
2000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+99.37 грн
10+66.79 грн
50+46.22 грн
100+39.62 грн
500+29.46 грн
1000+26.83 грн
2000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.85 грн
10+62.40 грн
100+41.41 грн
500+30.41 грн
1000+27.68 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
127+111.39 грн
177+79.89 грн
246+57.59 грн
500+44.82 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+116.51 грн
50+76.88 грн
250+53.25 грн
1000+35.27 грн
2000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.94 грн
10+86.54 грн
100+49.51 грн
500+38.96 грн
1000+33.26 грн
2000+30.10 грн
4000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.