IRF7306TRPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 544+ | 25.67 грн |
| 565+ | 24.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7306TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF7306TRPBF за ціною від 22.15 грн до 137.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7306TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7306TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7306TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7306TRPBF | Виробник : International Rectifier |
(HEXFET,DUAL,P-CH,LL,2W,-30V,4A,SO-8) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |