Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

IRF7306TRPBF Infineon Technologies

irf7306.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7306TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7306TRPBF за ціною від 21.69 грн до 97.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
12+34.79 грн
39+22.99 грн
108+21.76 грн
250+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.78 грн
250+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+43.36 грн
39+27.59 грн
108+26.12 грн
250+26.02 грн
2000+25.20 грн
4000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+59.22 грн
100+38.99 грн
500+32.74 грн
1000+26.93 грн
2000+25.38 грн
4000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.38 грн
50+64.78 грн
250+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.