Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER/INFINEON > IRF7307PBF

IRF7307PBF International Rectifier/Infineon

irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
30+21.17 грн
32+19.77 грн
100+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7307PBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції IRF7307PBF за ціною від 16.00 грн до 16.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7307PBF IRF7307PBF
Код товару: 28597
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBF IRF7307PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7307-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBF IRF7307PBF Виробник : Infineon Technologies irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBF IRF7307PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7307_DataSheet_v01_01_EN-3166037.pdf MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.