Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7309PBF
IRF7309PBF

IRF7309PBF

irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4,7(3,5) А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05(0,1) Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 113 шт
  • 72 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7309PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:4A
  • Cont Current Id P Channel:3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.05ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.1ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vds P Channel:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation P Channel 2:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:16A
  • Pulse Current Idm P Channel:12A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7309

Інші пропозиції IRF7309PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7309PBF Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF International Rectifier irf7309pbf.pdf description SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf description MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf
IRF7309PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2456
6 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3547 шт
  • 3312 шт - склад
  • 69 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 90 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 76 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+8.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 63V ECR 5x11mm (ECR2R2M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3471
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
2,2uF 63V ECR 5x11mm (ECR2R2M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 4923 шт
  • 4531 шт - склад
  • 278 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 268 шт
  • 268 шт - очікується
на замовлення: 187 шт
  • 187 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.85 грн
1000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316
Код товару: 3743
1 Додати до обраних Обраний товар
irf7316.pdf
IRF7316
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 4,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 710/23
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 209 шт
  • 196 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 13475
2 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
10uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2767 шт
  • 2283 шт - склад
  • 106 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 202 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 76 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 209 шт
  • 209 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.70 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 16V ESX 10x13mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 17034
5 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
470uF 16V ESX 10x13mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 2000 шт
  • 2000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 7 шт
  • 7 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.50 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.