Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)

IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Код товару: 45192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) за ціною від 19.94 грн до 120.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.64 грн
8000+23.83 грн
12000+22.91 грн
20000+20.52 грн
28000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.41 грн
8000+28.11 грн
12000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.49 грн
8000+28.20 грн
12000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.99 грн
278+51.12 грн
500+40.09 грн
1000+35.29 грн
2000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.50 грн
14+59.23 грн
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.17 грн
234+60.65 грн
296+47.95 грн
500+37.20 грн
1000+31.69 грн
2000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 43694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.13 грн
100+42.97 грн
500+31.40 грн
1000+28.53 грн
2000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.84 грн
12+66.80 грн
100+50.98 грн
500+38.55 грн
1000+32.59 грн
2000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+73.24 грн
100+42.18 грн
500+33.17 грн
1000+28.35 грн
2000+25.63 грн
4000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+26.64 грн
8000+23.83 грн
12000+22.91 грн
20000+20.52 грн
28000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.41 грн
8000+28.11 грн
12000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+28.49 грн
8000+28.20 грн
12000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
212+66.99 грн
278+51.12 грн
500+40.09 грн
1000+35.29 грн
2000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+94.50 грн
14+59.23 грн
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
148+96.17 грн
234+60.65 грн
296+47.95 грн
500+37.20 грн
1000+31.69 грн
2000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 43694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.62 грн
10+65.13 грн
100+42.97 грн
500+31.40 грн
1000+28.53 грн
2000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.84 грн
12+66.80 грн
100+50.98 грн
500+38.55 грн
1000+32.59 грн
2000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.57 грн
10+73.24 грн
100+42.18 грн
500+33.17 грн
1000+28.35 грн
2000+25.63 грн
4000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.