IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) за ціною від 16.94 грн до 117.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 47735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
на замовлення 6723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7309TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Група товару: Транзистори Кор кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |