IRF7309TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 16.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7309TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7309TRPBF за ціною від 13.50 грн до 97.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) Код товару: 45192
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
на замовлення 15014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 73006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7309TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
(SO-8) |
на замовлення 4455 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRF7309TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7309TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |