Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)
IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)

IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Код товару: 45192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал) за ціною від 16.94 грн до 111.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.80 грн
12000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.73 грн
12000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.73 грн
12000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.22 грн
12000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.57 грн
12000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.28 грн
461+30.64 грн
485+29.11 грн
554+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.79 грн
22+34.73 грн
50+31.05 грн
100+28.44 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.34 грн
295+48.00 грн
328+43.11 грн
340+40.11 грн
500+30.52 грн
1000+28.69 грн
3000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.44 грн
50+36.55 грн
100+30.40 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 4/-3A
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.43 грн
10+57.82 грн
100+35.05 грн
200+30.64 грн
500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.70 грн
227+62.30 грн
293+48.19 грн
326+41.79 грн
500+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.45 грн
12+62.81 грн
50+48.57 грн
100+42.13 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.73 грн
11+69.67 грн
50+51.53 грн
100+44.03 грн
500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 21047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.80 грн
12000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.73 грн
12000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.73 грн
12000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.22 грн
12000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.57 грн
12000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+34.28 грн
461+30.64 грн
485+29.11 грн
554+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+39.79 грн
22+34.73 грн
50+31.05 грн
100+28.44 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.34 грн
295+48.00 грн
328+43.11 грн
340+40.11 грн
500+30.52 грн
1000+28.69 грн
3000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.44 грн
50+36.55 грн
100+30.40 грн
500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 4/-3A
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.43 грн
10+57.82 грн
100+35.05 грн
200+30.64 грн
500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+90.70 грн
227+62.30 грн
293+48.19 грн
326+41.79 грн
500+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.45 грн
12+62.81 грн
50+48.57 грн
100+42.13 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+111.73 грн
11+69.67 грн
50+51.53 грн
100+44.03 грн
500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 21047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.