Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)

IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)


irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Код товару: 45192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 7-21 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал) за ціною від 16.99 грн до 94.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.85 грн
12000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+44.22 грн
362+40.35 грн
373+39.13 грн
500+31.78 грн
1000+28.89 грн
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.62 грн
10+42.47 грн
25+36.11 грн
33+28.76 грн
91+27.17 грн
200+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.92 грн
15+54.88 грн
25+44.22 грн
100+38.91 грн
250+34.93 грн
500+28.25 грн
1000+27.74 грн
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.82 грн
10+49.58 грн
50+36.66 грн
100+30.48 грн
500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies infineon_irf7309_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.16 грн
10+40.21 грн
100+31.04 грн
500+24.00 грн
2000+22.45 грн
4000+17.33 грн
8000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.85 грн
12000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+44.22 грн
362+40.35 грн
373+39.13 грн
500+31.78 грн
1000+28.89 грн
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.62 грн
10+42.47 грн
25+36.11 грн
33+28.76 грн
91+27.17 грн
200+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.92 грн
15+54.88 грн
25+44.22 грн
100+38.91 грн
250+34.93 грн
500+28.25 грн
1000+27.74 грн
3000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon-irf7309-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.82 грн
10+49.58 грн
50+36.66 грн
100+30.48 грн
500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description infineon_irf7309_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.16 грн
10+40.21 грн
100+31.04 грн
500+24.00 грн
2000+22.45 грн
4000+17.33 грн
8000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.