IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541290010
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
7-21 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7309TRPBF (транзистори польові N-канал) за ціною від 16.99 грн до 94.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 3614 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 29891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
на замовлення 10899 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7309TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 19.85 грн |
| 12000+ | 16.99 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 27.62 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 27.62 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.20 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.21 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 376+ | 38.81 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 38.82 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 330+ | 44.22 грн |
| 362+ | 40.35 грн |
| 373+ | 39.13 грн |
| 500+ | 31.78 грн |
| 1000+ | 28.89 грн |
| 3000+ | 23.91 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.62 грн |
| 10+ | 42.47 грн |
| 25+ | 36.11 грн |
| 33+ | 28.76 грн |
| 91+ | 27.17 грн |
| 200+ | 26.17 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.92 грн |
| 15+ | 54.88 грн |
| 25+ | 44.22 грн |
| 100+ | 38.91 грн |
| 250+ | 34.93 грн |
| 500+ | 28.25 грн |
| 1000+ | 27.74 грн |
| 3000+ | 23.91 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.82 грн |
| 10+ | 49.58 грн |
| 50+ | 36.66 грн |
| 100+ | 30.48 грн |
| 500+ | 23.59 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.16 грн |
| 10+ | 40.21 грн |
| 100+ | 31.04 грн |
| 500+ | 24.00 грн |
| 2000+ | 22.45 грн |
| 4000+ | 17.33 грн |
| 8000+ | 17.04 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 94.07 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 94.07 грн |
| IRF7309TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








