Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7309TRPBF
IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF Infineon Technologies

irf7309.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7309TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7309TRPBF за ціною від 13.50 грн до 131.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.60 грн
8000+20.21 грн
12000+19.43 грн
20000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.60 грн
8000+23.62 грн
12000+23.52 грн
20000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.43 грн
8000+25.37 грн
12000+25.28 грн
20000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
463+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 463
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.61 грн
500+31.50 грн
1000+26.51 грн
5000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.39 грн
10+43.51 грн
50+34.05 грн
100+30.63 грн
200+27.60 грн
500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.27 грн
10+54.22 грн
50+40.86 грн
100+36.75 грн
200+33.12 грн
500+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+83.34 грн
222+55.78 грн
500+52.65 грн
1000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7309-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 16036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.60 грн
10+56.82 грн
100+34.90 грн
500+27.11 грн
1000+24.67 грн
2000+22.76 грн
4000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 74922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+55.21 грн
100+36.44 грн
500+26.63 грн
1000+24.20 грн
2000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.52 грн
14+61.77 грн
100+43.61 грн
500+31.50 грн
1000+26.51 грн
5000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+131.24 грн
10+82.44 грн
100+54.38 грн
500+40.84 грн
1000+34.35 грн
2000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation infineon-irf7309-datasheet-en.pdf (SO-8)
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.