Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7313TRPBFXTMA1
IRF7313TRPBFXTMA1

IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+18.67 грн
8000+16.64 грн
12000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7313TRPBFXTMA1 за ціною від 18.36 грн до 77.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.26 грн
8000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.26 грн
8000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 14168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.74 грн
10+46.85 грн
100+30.64 грн
500+22.23 грн
1000+20.13 грн
2000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 8353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.26 грн
8000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 infineonirf7313datasheeten.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.26 грн
8000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 14168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.74 грн
10+46.85 грн
100+30.64 грн
500+22.23 грн
1000+20.13 грн
2000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 8353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 3980133.pdf
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.