Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7314PBF
IRF7314PBF

IRF7314PBF

irf7314pbf-datasheet.pdf
Код товару: 36431
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+12.40 грн
100+9.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7314PBF

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual P
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:4.2A
  • On State Resistance:0.053ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:-0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:23A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7314
  • Transistor Case Style:SOIC

Можливі заміни IRF7314PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF
Код товару: 54354
Додати до обраних Обраний товар
IR irf7314pbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 780/19
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 25.07.2026
1+23.00 грн
10+20.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314TRPBF
Код товару: 54354
Додати до обраних Обраний товар
description irf7314pbf-datasheet.pdf
IRF7314TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 780/19
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+23.00 грн
10+20.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRF7314PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7314PBF International Rectifier irf7314pbf.pdf description Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF International Rectifier/Infineon IRF7314PBF_IR.pdf description 2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF IRF7314PBF Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c description Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF IRF7314PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7314_DataSheet_v01_01_EN-1228313.pdf description MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF description irf7314pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF description IRF7314PBF_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF description irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c
IRF7314PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7314PBF description Infineon_IRF7314_DataSheet_v01_01_EN-1228313.pdf
IRF7314PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.