IRF7316GTRPBF

IRF7316GTRPBF Infineon Technologies


IRF7316GPBF.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
на замовлення 2272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+41.44 грн
100+35.36 грн
500+30.83 грн
1000+30.10 грн
2000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7316GTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7316GTRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7316GTRPBF IRF7316GTRPBF Виробник : Infineon Technologies 125378722883640.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316GTRPBF IRF7316GTRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7316GPBF.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.