IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies


irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.85 грн
8000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 22.39 грн до 172.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier irf7316.pdf MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.29 грн
250+52.86 грн
1000+35.09 грн
2000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.49 грн
10+62.94 грн
50+45.39 грн
100+39.91 грн
200+35.50 грн
250+34.34 грн
500+31.09 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+66.59 грн
100+44.37 грн
500+32.69 грн
1000+29.82 грн
2000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 12854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.23 грн
10+71.73 грн
100+41.44 грн
500+32.53 грн
1000+29.70 грн
2000+27.28 грн
4000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+117.40 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.71 грн
50+79.29 грн
250+52.86 грн
1000+35.09 грн
2000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.94 грн
10+109.24 грн
100+72.85 грн
500+55.08 грн
1000+46.51 грн
2000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon IRF7316.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.