IRF7316TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 27.57 грн |
| 8000+ | 25.28 грн |
| 12000+ | 24.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 20.08 грн до 66.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3563 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 38165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7316TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7316TRPBF |
2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8 |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |