Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7316TRPBF
IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.37 грн
8000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 22.39 грн до 127.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF International Rectifier irf7316.pdf description MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.98 грн
17+46.95 грн
100+39.88 грн
500+34.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.73 грн
250+53.82 грн
1000+35.73 грн
2000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.28 грн
10+64.08 грн
50+46.22 грн
100+40.63 грн
200+36.15 грн
250+34.96 грн
500+31.66 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+67.81 грн
100+45.18 грн
500+33.29 грн
1000+30.36 грн
2000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.33 грн
10+73.03 грн
100+42.20 грн
500+33.12 грн
1000+30.24 грн
2000+27.78 грн
4000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.53 грн
169+83.66 грн
240+58.81 грн
500+45.53 грн
1000+38.75 грн
2000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.99 грн
50+80.73 грн
250+53.82 грн
1000+35.73 грн
2000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF International Rectifier/Infineon IRF7316.pdf description 2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: International Rectifier
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.98 грн
17+46.95 грн
100+39.88 грн
500+34.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.73 грн
250+53.82 грн
1000+35.73 грн
2000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.28 грн
10+64.08 грн
50+46.22 грн
100+40.63 грн
200+36.15 грн
250+34.96 грн
500+31.66 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.55 грн
10+67.81 грн
100+45.18 грн
500+33.29 грн
1000+30.36 грн
2000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.33 грн
10+73.03 грн
100+42.20 грн
500+33.12 грн
1000+30.24 грн
2000+27.78 грн
4000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+121.53 грн
169+83.66 грн
240+58.81 грн
500+45.53 грн
1000+38.75 грн
2000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.99 грн
50+80.73 грн
250+53.82 грн
1000+35.73 грн
2000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description IRF7316.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6732 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.