Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7316TRPBF
IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 21.63 грн до 124.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.41 грн
8000+25.10 грн
12000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+59.19 грн
14+45.28 грн
25+41.98 грн
100+33.95 грн
250+31.11 грн
500+26.10 грн
1000+24.02 грн
2000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.45 грн
250+46.07 грн
1000+32.58 грн
2000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.92 грн
10+55.26 грн
36+24.94 грн
99+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+93.75 грн
11+59.66 грн
25+50.84 грн
100+41.07 грн
250+37.65 грн
500+30.49 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.96 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.50 грн
10+68.86 грн
36+29.93 грн
99+28.30 грн
20000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 26207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.76 грн
10+65.08 грн
100+43.34 грн
500+31.93 грн
1000+29.12 грн
2000+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.41 грн
50+65.45 грн
250+46.07 грн
1000+32.58 грн
2000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.34 грн
161+75.95 грн
200+75.22 грн
500+52.50 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN-3363332.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.45 грн
10+74.27 грн
25+64.29 грн
100+43.68 грн
500+34.90 грн
1000+31.49 грн
2000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.