Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7316TRPBF
IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 23.92 грн до 121.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.40 грн
8000+25.50 грн
12000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.82 грн
8000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.22 грн
8000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.25 грн
13+56.02 грн
100+44.04 грн
500+36.10 грн
1000+30.70 грн
2000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.60 грн
250+52.38 грн
1000+33.97 грн
2000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.02 грн
10+61.08 грн
50+43.54 грн
100+37.88 грн
200+33.41 грн
500+28.95 грн
1000+26.39 грн
2000+24.32 грн
4000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+100.08 грн
190+65.43 грн
200+63.85 грн
500+44.11 грн
1000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.23 грн
10+76.11 грн
50+52.24 грн
100+45.45 грн
200+40.09 грн
500+34.73 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 23893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.96 грн
10+67.46 грн
100+44.91 грн
500+33.09 грн
1000+30.18 грн
2000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.42 грн
10+70.60 грн
100+42.03 грн
500+33.22 грн
1000+29.32 грн
2000+29.17 грн
4000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.94 грн
50+76.60 грн
250+52.38 грн
1000+33.97 грн
2000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+51.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8
на замовлення 285 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7316.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.