
IRF7316TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7316TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7316TRPBF за ціною від 20.08 грн до 117.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF |
![]() |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Type of transistor: P-MOSFET x2 |
на замовлення 6189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 26207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 285 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7316TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |